A Method to Determine the Equivalent mos Transistor Parasitic Parameters

Izdanje: Naučna konferencija Uniteh 2010

Oblast: Computer Systems

Stranice: 389-392

Apstrakt:
Разработката на аналитични модели за определяне на времезакъснеията в CMOS ИС, налага да се намерят еквивалентните паразитни параметри в MOS транзистора Cкапацитет на гейта, Cдифузeн капацитет и Rсъпротивление на канала. Един метод за определянето на тези параметри е посредством схеми за калибриране и симулация в SPICE. За валидиране на резултатите, симулациите са направени като са използвани различни технологични модели на MOS транзистор.
Ključne reči: MOS, parasitic parameters, SPICE, simulation, CMOS, 90nm technology node
Priložene datoteke:
Kategorije objave: Radovi na konferenciji Unitech 2010, Gabrovo, Bugarska

Preuzimanje citata:

BibTeX format 
@article{article,
  author  = {V. Kukenska and P. Minev}, 
  title   = {A Method to Determine the Equivalent mos Transistor Parasitic Parameters},
  journal = {Naučna konferencija Uniteh 2010},
  year    = 2010,
  pages   = {389-392}}
RefWorks Tagged format 
RT Conference Proceedings
A1 Valentina Kukenska
A1 Petăr Minev
T1 A Method to Determine the Equivalent mos Transistor Parasitic Parameters
AD Naučna konferencija Unitech, Gabrovo, Bugarska
YR 2010
Unapred formatirani prikaz citata
V. Kukenska and P. Minev, A Method to Determine the Equivalent mos Transistor Parasitic Parameters, Naučna konferencija Unitech, 2010